立方砷化硼有潜力成为比硅更优的半导体材料

据新华社电北京电力公司研究人员发表在学术期刊《科学》上的一项新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料在实验室中表现出比硅更好的热导率和更高的双极迁移率，有可能成为比硅更好的半导体材料。

硅是目前应用最广泛的半导体材料可是，作为半导体，硅有两个缺点第一，硅不太会导热，导致芯片过热散热已经成为制约芯片性能的重要因素其次，硅有很好的电子迁移率，但没有足够的空穴迁移率，这对于半导体性能也很重要材料中带负电的电子离开后，带正电的空位称为空穴电子迁移率和空穴迁移率统称为双极迁移率

科学家认为，立方砷化硼理论上比硅具有更好的导热性和更高的双极迁移率之前的实验已经证实，这种材料的热导率大约是硅的10倍

麻省理工学院等美国大学的研究人员最近几天在《科学》杂志上发表了一项研究，进一步证实了立方砷化硼在实验中表现出了更好的热导率和双极迁移率研究人员表示，这可能是迄今为止发现的最好的半导体材料

同期《科学》杂志也发表了中科院和休斯敦大学团队的相关研究成果本研究通过不同的测量方法证实了立方砷化硼具有较高的双极迁移率，并且在材料样品的某些位置发现了比理论计算更高的双极迁移率

参与研究的中科院国家纳米科学中心副研究员岳帅表示，双极迁移率决定了半导体材料的逻辑运算速度，迁移率越高，运算速度越快。

研究人员表示，到目前为止立方砷化硼还只是在实验室规模上进行制备和测试，接下来的研究将集中在如何经济，大量地生产这种材料，从而真正推动半导体产业的发展。

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